從圖7-13可以看出，參考試樣R的表面反射回波頻譜和底面回波頻譜幾乎相同(見圖7-13a)，顯示了

實驗系統的高可靠性和材料顯微組織的均勻性，但是對于氫蝕試樣卻不是這樣，不同位置的底面回波頻譜發生了變化，如圖7-13b所示。

對試樣沿掃描線掃描以后(見圖7-8a)，將底面回波頻譜進行處理以獲得二階矩，不管頻率分布是傾向于較高頻率還是較低頻率(其主要依賴于高頻下的衰減)，該參數都可以用于比較氫損傷程度。圖7-14是沿著試樣的超聲波掃描位置得到的參考試樣(虛線)和氫蝕試樣(實線)的倒二階矩。參考試樣R的倒二階矩變化較小，試樣H1和H2的倒二階矩也變化不大，僅在兩端邊界處有所不同。相比之下，試樣H3和H4的倒二階矩變化劇烈，它們的倒二階矩的極小值與參考試樣的倒二階矩接近。然而，試樣H1和H2的倒二階矩的極小值則接近參考試樣倒二階矩的極大值。

為了評價聲波穿透試樣后背散射信號的頻譜，同樣也計算了它們的二階矩，如圖7-15所示。可以看出，試樣H1和H2的倒二階矩值比較大，而H3和H4的倒二階矩值則和參考試樣R的值比較接近。

分析認為，試樣中夾雜物的幾何形態很重要，試樣H1和H2中的夾雜物為球形，它們對H2S不是很敏感，因此氫致缺陷數量較少。和參考試樣R相比，所有的氫蝕試樣都有很明顯的受到氫蝕的特征，如圖7-14 所示，它們的倒二階矩都發生了變化，并且遠高于參考試樣R的倒二階矩。有證據表明，倒二階矩值高的區域與試樣中存在裂紋的區域相對應。試樣H1的倒二階矩值的峰值出現在掃描線的兩端，而恰在那個區域上存在裂紋；試樣H2中沒有裂紋，因此在整個掃描線上它的倒二階矩值沒有出現大的峰值；試樣H3和H4中的裂紋是隨機分布，因此它們的倒二階矩值的峰值出現的位置也是隨機的。從圖7-14 中還可以看出，在整個掃描線上試樣H1和H2的倒二階矩值比參考試樣R的高出不少，因為與參考試樣R中的片狀夾雜物相比，試樣H1和H2中的夾雜物是球形的；而在整個掃描線上試樣H3和H4的倒二階矩值和參考試樣R的比較接近，這是因為試樣H3與H4中的夾雜物幾何形態和參考試樣R中的是相同的。金相分析證實，試樣中出現了與原始組織狀態有明顯差別的微觀組織。

圖7-15中背散射信號的倒二階矩的變化表明，這項技術對微觀組織的差異也很敏感。因為在整個掃描線上，試樣H1和H2的倒二階矩比參考試樣R的倒二階矩高出很多，而試樣H3和H4的倒二階矩和參考試樣R的倒二階矩比較接近。這項技術對氫致裂紋的檢測也很敏感，氫蝕試樣中和參考試樣R中沿著掃描線上倒二階矩的變化可以證明這一點。本實驗中所觀察到的高頻衰減結果和Wang等人的實驗結果相同[32]，這表明了該項技術可以應用于檢測低溫時的氫致裂紋和高溫時的氫蝕。

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